BJT DC Analysis

I_C versus V_CE

图像从左到右分别为：Saturation, Active, Breakdown

绘制负载线(,load line,)：

• 在 I_C 轴上找到点
• 在 V_CE 轴上找到点
• 将两点相连

负载线与图像的交点即晶体管的静态工作点(,Quiescent Point,)。

四种 DC Biasing Configuration

Base Biasing

使用一个电阻 R_B 连接在基极和电源 V_CC 之间，基极电流由 R_B 控制。

Collect Feedback Biasing

集电极通过一个反馈电阻 R_C​ 连接到基极

Emitter Biasing

在发射极引入一个电阻 R_E 和额外的电压降​，利用负反馈稳定工作点。

Voltage Divider Biasing

基极通过分压电阻网络 R₁​ 和 R₂​ 偏置，提供稳定的基极电压。

BJT AC Analysis

1. 使用等效电路代替电路中的 BJT
2. 将 DC 源看作接地
3. 将 电容看作导线

共发射极放大器(,Common-emitter Amplifier,)

计算基极电压 V_B

计算发射极电流 I_E

发射极电阻 r_e

计算发射极电阻 r,,e,,

输入输出阻抗计算

BJT Power Amplifiers

Class A: Emitter Follower

增益计算

计算 R₁ 和 R₂

在中点偏置下，

计算 Power dissipated

对于电阻：

对于三极管：

例题 1

Class B

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